|
|
Výroba a charakterizace plazmonických nanostruktur
Bačo, Ondřej ; Kvapil, Michal (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce)
Předkládaná bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací plazmonických nanostruktur. Pro přípravu těchto struktur byl použit grafen na dopovaném křemíkovém substrátu s 285nm vrstvou oxidu křemičitého. Grafenové pruhy o šířce řádově stovek nanometrů byly vyrobeny za použití metod elektronové litografie (EBL) a reaktivního iontového leptání (RIE). Jednotlivé fáze přípravy byly monitorovány pomocí optické mikroskopie a mikroskopie atomárních sil (AFM). Vlastnosti výsledných grafenových nanostruktur byly charakterizovány rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM) a infračerveným spektrometrem s Fourierovou transformací (FTIR).
|
|
|
Optimalizace procesu hloubkového reaktivního iontového leptání
Houška, David ; Hrdý, Radim (oponent) ; Prášek, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá optimalizací kryogenního a Bosch procesu hloubkového reaktivního iontového leptání (DRIE). V práci je shrnuta charakterizace leptacích metod křemíku, princip funkce DRIE a vliv jednotlivých parametrů na výsledný profil leptu. Na základě analýzy realizovaných vzorků pomocí rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) byla provedena optimalizace obou jmenovaných procesů pro vytvoření úzkých děr s průměry 1 až 16 µm s nejvyšším dosaženým poměrem hloubky ku šířce 28:1 na křemíkovém substrátu. Mimoto byla analyzována drsnost povrchu stěn struktur leptaných oběma procesy pomocí mikroskopie atomárních sil (AFM) a přítomnost fluorových reziduí pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS).
|
|
|
Příprava vysoce definovaných nanoporézních struktur s využitím v membránové biosensorice
Fabianová, Kateřina ; Édes, Zoltán (oponent) ; Sadílek, Jakub (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou plasmonického biosensoru založeného na vysoce definovaných porézních strukturách vytvořených v nitridu křemíku obsahujících kovové nanomenhiry. Tyto porézní struktury byly připraveny pomocí metody reaktivního iontového leptání nitridové vrstvy skrze dočasnou masku připravenou elektronovou litografií následované depozicí kovové vrstvy tvořící finální nanomenhiry pomocí napařování a magnetronového naprašování. Práce shrnuje finálně dosažené výsledky a předkládá úspěšný návrh postupu výroby sensoru bez kovové kontaminace nosného povrchu.
|
|
| |
|
|
Konstrukce odměřovacího systému pro systém reaktivního iontového leptání
Maňka, Tadeáš ; Antoš, Martin (oponent) ; Šerý, Mojmír (vedoucí práce)
Cílem této diplomové práce je zkonstruovat funkční odměřovací systém pro systém reaktivního iontového leptání (RIE). V práci je použit předchozí návrh Michelsonova interferometru vyvinutého na Ústavu přístrojové techniky, v.v.i. (ÚPT). Teoretická část práce se věnuje problematice interferenčních metod pro přesné měření délek. V další části je popsán proces leptání pomocí RIE. V praktické části je navržena testovací sestava z dílů firmy Thorlabs. Na ní je odzkoušena funkčnost a přesnost měření je porovnána s profilometrem. Dalším krokem je optimalizace navržené sestavy. Byla vytvořena technická dokumentace a vyrobena odměřovací aparatura na míru pro účely pracovníků ÚPT.
|
|
|
Microelectromechanical through-silicon vias
Dulák, Radovan ; Hrdý, Radim (oponent) ; Prášek, Jan (vedoucí práce)
Through-hole silicon vias are key technology enabling 3D system integration and thus creating compact devices. These vertical microstructures interconnect multiple layers and are also used in integrated circuits and MEMS devices. This bachelor‘s thesis focuses on the possibility of preparing these microjunctions by wet anisotropic etching and dry anisotropic etching using the deep reactive ion etching (DRIE) process for use in MEMS. The work shows preparation, etching, plating and galvanic filling of these structures. Using optical and scanning electron microscope (SEM) images, experimental tests and subsequent optimization were performed and evaluated to create a hole with a minimum size of approximately 1 m using a wet etching process and 16 m by a dry etching process. The highest achieved aspect ratio on a wafer was 15:1. In addition, the created holes were plated, galvanically filled with conductive material and electrically tested and measured.
|
|
|
Odvrstvování polovodičových čipů
Valachovič, Marek ; Adámek, Martin (oponent) ; Búran, Martin (vedoucí práce)
Tato práce popisuje jednotlivé vrstvy, ze kterých je polovodičový čip složen, typy pouzder, do kterých může být zapouzdřen a způsoby propojení čipu s pouzdrem. Dále jsou zde popsány metody dekapsulace zapouzdřeného čipu a jeho následné odvrstvování pomocí několika různých způsobů, jako je mechanicky, chemicky, plazmaticky či pomocí řízeného iontového svazku. Metody mechanického a chemického odvrstvování vrstev polovodičového čipu spolu s metodou odvrstvování řízeným iontovým svazkem za pomoci plynu jsou prakticky provedeny.
|
|
|
Optimalizace procesu hloubkového reaktivního iontového leptání
Houška, David ; Hrdý, Radim (oponent) ; Prášek, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá optimalizací kryogenního a Bosch procesu hloubkového reaktivního iontového leptání (DRIE). V práci je shrnuta charakterizace leptacích metod křemíku, princip funkce DRIE a vliv jednotlivých parametrů na výsledný profil leptu. Na základě analýzy realizovaných vzorků pomocí rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) byla provedena optimalizace obou jmenovaných procesů pro vytvoření úzkých děr s průměry 1 až 16 µm s nejvyšším dosaženým poměrem hloubky ku šířce 28:1 na křemíkovém substrátu. Mimoto byla analyzována drsnost povrchu stěn struktur leptaných oběma procesy pomocí mikroskopie atomárních sil (AFM) a přítomnost fluorových reziduí pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS).
|
|
| |
|
|
Morphological Structure Of Solar Cells Based On
Silicon And Gallium Arsenide After Ion Etching
Papež, Nikola
Study deals with the investigation of the surface after ion etching on two types of solar cells – based on widely available polycrystalline silicon and on durable gallium arsenide for use in more demanding environments. Solar cell morphology was compared using an electron microscope together with an Energy Dispersive X-ray detector to show distribution ratios of elements. Atomic force microscopy was used to accurately describe the heights and roughness structure. Raman spectroscopy to study of vibrational properties and the stress investigations.
|
host ::
RSS.